Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 100MHz 10 W Through Hole TO-126N

Ürün Açıklaması

TTC004B,Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - TRANS NPN 160V 1.5A TO126N Paketleme Bulk Paket / Kılıf TO-225AA, TO-126-3 Montaj Tipi Through Hole Transistör Tipi NPN Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Maksimum Saturasyon Gerilimi - Maks @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Maksimum Kollektör Kesim Akımı 100nA (ICBO) DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 5V Frekans Geçişi 100MHz Tedarikçi Paketleme TO-126N Akım - Kollektör (Ic) (Maks) 1.5 A Maksimum Kollektör Emiter Geçiş Gerilimi 160 V Güç - Maks. 10 W