Mosfet Array 1200V (1.2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Chassis Mount 29-PIM (56.7x42.5)

Ürün Açıklaması

NXH008T120M3F2PTHG - ONSEMI - MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM Paketleme Tray Paket / Kılıf Module Montaj Tipi Chassis Mount Konfigürasyon 4 N-Channel Çalışma Sıcaklığı -40°C ~ 175°C (TJ) Teknoloji Silicon Carbide (SiC) Güç - Maks. 371W (Tj) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200V (1.2kV) Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 129A (Tc) Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 9129pF @ 800V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 100A, 18V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 454nC @ 20V FET Özelliği - Vgs(th) (Maks) @ Id 4.4V @ 60mA Tedarikçi Paketleme 29-PIM (56.7x42.5) Derece - Kalifikasyon -