Mosfet Array 1200V (1.2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) Chassis Mount

Ürün Açıklaması

GCMX003A120S3B1-N - SEMIQ - 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE Teknoloji Silicon Carbide (SiC) Konfigürasyon 2 N-Channel (Half Bridge) FET Özelliği - Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200V (1.2kV) Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 625A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 300A, 20V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 120mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 1408nC @ 20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 41400pF @ 800V Güç - Maks. 2113W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -40°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Chassis Mount Paket / Kılıf Module Tedarikçi Paketleme -