Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

SI4816BDY-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Konfigürasyon 2 N-Channel (Half Bridge) FET Özelliği Logic Level Gate Drain Source Gerilimi (Vdss) 30V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 5.8A, 8.2A Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 10nC @ 5V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds - Güç - Maks. 1W, 1.25W Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tedarikçi Paketleme 8-SOIC