N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

Ürün Açıklaması

IRF510STRRPBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 100V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 5.6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 8.3nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 180pF @ 25V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3.7W (Ta), 43W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-263 (D²Pak) Paket / Kılıf TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB