N-Channel 120 V 180A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220

Ürün Açıklaması

GT035N12T - GOFORD SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 120V 180A TO-220 Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 180A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 50A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 230W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Tedarikçi Paketleme TO-220 Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 120 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 116 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 8336 pF @ 60 V