N-Channel 1200 V 127A (Tc) 455W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8

Ürün Açıklaması

IMZA120R014M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC DISCRETE FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 127A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 18V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 18.4mOhm @ 54.3A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.2V @ 23.4mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 145 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +20V, -5V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4580 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 455W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO247-4-8 Paket / Kılıf TO-247-4