N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2PAK-2

Ürün Açıklaması

STH13N120K5-2AG - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 12A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 100µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1370 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 250W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece Automotive Kalifikasyon AEC-Q101 Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme H2PAK-2 Paket / Kılıf TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB