N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

Ürün Açıklaması

IMW120R090M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-247-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 26A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 115W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 5.7V @ 3.7mA Tedarikçi Paketleme PG-TO247-3-41 Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 18V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -7V Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 21 nC @ 18 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 707 pF @ 800 V