N-Channel 1200 V 31A (Tc) 169W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-14

Ürün Açıklaması

AIMZHN120R080M1TXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC_DISCRETE FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 31A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 18V, 20V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 20V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.1V @ 3.3mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 24 nC @ 20 V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -5V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 671 pF @ 800 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 169W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece Automotive Kalifikasyon AEC-Q101 Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO247-4-14 Paket / Kılıf TO-247-4