N-Channel 1200 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Ürün Açıklaması

IXFN32N120P - IXYS - MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 32A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 310mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 6.5V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 360 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 21000 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1000W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Chassis Mount Tedarikçi Paketleme SOT-227B Paket / Kılıf SOT-227-4, miniBLOC