N-Channel 1200 V 33A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-3

Ürün Açıklaması

UF3C120080K3S - ONSEMI - SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Cascode SiCJFET) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 33A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 12V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 12V Vgs(th) (Maks) @ Id 6V @ 10mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 51 nC @ 15 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±25V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1500 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 254.2W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247-3 Paket / Kılıf TO-247-3