N-Channel 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Ürün Açıklaması

NTH4L040N120M3S - ONSEMI - SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 54A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 18V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 54mOhm @ 20A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.4V @ 10mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 75 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +22V, -10V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1700 pF @ 800 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 231W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247-4L Paket / Kılıf TO-247-4