N-Channel 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3

Ürün Açıklaması

NTHL030N120M3S - ONSEMI - SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 73A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 18V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 39mOhm @ 30A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.4V @ 15mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 107 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +22V, -10V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2430 pF @ 800 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 313W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247-3 Paket / Kılıf TO-247-3