N-Channel 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-17

Ürün Açıklaması

IMZC120R022M2HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SICFET N-CH 1200V 80A TO247 FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 80A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 18V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 22mOhm @ 32A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.1V @ 10.1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 71 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -7V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2330 pF @ 800 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 329W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO247-4-17 Paket / Kılıf TO-247-4