N-Channel 1200 V 98A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8

Ürün Açıklaması

IMZA120R020M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC DISCRETE FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 98A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 18V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 26.9mOhm @ 41A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.2V @ 17.6mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 109 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +20V, -5V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3460 pF @ 800 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 375W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO247-4-8 Paket / Kılıf TO-247-4