N-Channel 1200V 11A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-247-3

Ürün Açıklaması

G3R350MT12D - GENESIC SEMICONDUCTOR - SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3 Paketleme Tube Fet Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1200V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 11A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4A, 15V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.69V @ 2mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 12nC @ 15V Maksimum Gain Source Gerilimi ±15V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 334pF @ 800V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 74W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247-3 Paket / Kılıf TO-247-3