N-Channel 150 V 2.2A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Ürün Açıklaması

SI3440ADV-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 150 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 2.2A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 7.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 380mOhm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 4 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 80 pF @ 75 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3.6W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 6-TSOP Paket / Kılıf SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6