N-Channel 150 V 2.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

SI4848DY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 150 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 2.7A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 6V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2V @ 250µA (Min) Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 21 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1.5W (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)