N-Channel 150 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SI7898DP-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 150 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 3A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 6V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 21 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1.9W (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8