N-Channel 150 V 6.7A (Ta), 20A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Ürün Açıklaması

FDMS86250 - ONSEMI - MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 150 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 6.7A (Ta), 20A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 6V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.7A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 36 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2330 pF @ 75 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-PQFN (5x6) Paket / Kılıf 8-PowerTDFN