N-Channel 150 V 9.3A (Ta), 33.8A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Ürün Açıklaması

SISS5708DN-T1-BE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 150 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 9.3A (Ta), 33.8A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 7.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 20 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 975 pF @ 75 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® 1212-8S Paket / Kılıf PowerPAK® 1212-8S