N-Channel 1500 V 4A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220

Ürün Açıklaması

STP4N150 - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1500 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 4A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 7Ohm @ 2A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1300 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 160W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220 Paket / Kılıf TO-220-3