N-Channel 1700 V 7.4A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-13

Ürün Açıklaması

IMBF170R650M1XTMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1700 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 7.4A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 12V, 15V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 650mOhm @ 1.5A, 15V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.7V @ 1.7mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 8 nC @ 12 V Maksimum Gain Source Gerilimi +20V, -10V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 422 pF @ 1000 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 88W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PG-TO263-7-13 Paket / Kılıf TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA