N-Channel 1700 V 81A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Ürün Açıklaması

NTH4L028N170M1 - ONSEMI - SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 1700 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 81A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 20V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 40mOhm @ 60A, 20V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.3V @ 20mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 200 nC @ 20 V Maksimum Gain Source Gerilimi +25V, -15V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4230 pF @ 800 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 535W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247-4L Paket / Kılıf TO-247-4