N-Channel 190 V 1.5A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

Ürün Açıklaması

SIB452DK-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® SC-75-6 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 1.5A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 1.5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SC-75-6 Maksimum Sürüş Gerilimi 1.8V, 4.5V Maksimum Gain Source Gerilimi ±16V Drain Source Gerilimi (Vdss) 190 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 135 pF @ 50 V