N-Channel 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SIR178DP-T1-RE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 100A (Ta), 430A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 0.4mOhm @ 30A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 6.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 1.5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Maksimum Sürüş Gerilimi 2.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi +12V, -8V Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 310 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 12430 pF @ 10 V