N-Channel 20 V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Ürün Açıklaması

DMN2005UFG-7 - DIODES INCORPORATED - MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 18.1A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 2.5V, 4.5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Vgs(th) (Maks) @ Id 1.2V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 164 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±12V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 6495 pF @ 10 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1.05W (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme POWERDI3333-8 Paket / Kılıf 8-PowerVDFN