N-Channel 20 V 2.6A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Ürün Açıklaması

SI2302CDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 2.6A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 2.5V, 4.5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs(th) (Maks) @ Id 850mV @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±8V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 710mW (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 (TO-236) Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3