N-Channel 200 V 130A (Tc) 280W (Tc) Surface Mount TOLT

Ürün Açıklaması

GT100N20TT - GOFORD SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 200V 130A 280W TOLT FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 130A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 76 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4900 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 280W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TOLT Paket / Kılıf 16-PowerSOP Module