N-Channel 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Ürün Açıklaması

SUM90100E-GE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 150A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 7.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 11.4mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 110 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3930 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 375W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-263 (D2PAK) Paket / Kılıf TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB