N-Channel 200 V 180A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Ürün Açıklaması

IXFH180N20X3 - IXYS - MOSFET N-CH 200V 180A TO247 Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-247-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 180A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 90A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 780W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4.5V @ 4mA Tedarikçi Paketleme TO-247 (IXTH) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 154 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 10300 pF @ 25 V