N-Channel 200 V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Ürün Açıklaması

STP20NF20 - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 18A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 125mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 39 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 940 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 110W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220 Paket / Kılıf TO-220-3