N-Channel 200 V 32A (Ta) Surface Mount Die

Ürün Açıklaması

EPC2215 - EPC - GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf Die Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji GaNFET (Gallium Nitride) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 32A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 5V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) - Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 6mA Tedarikçi Paketleme Die Maksimum Sürüş Gerilimi 5V Maksimum Gain Source Gerilimi +6V, -4V Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 17.7 nC @ 5 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1790 pF @ 100 V