N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

Ürün Açıklaması

IRF610PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 3.3A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 36W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Tedarikçi Paketleme TO-220AB Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 140 pF @ 25 V