N-Channel 200 V 35.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Ürün Açıklaması

SUM90330E-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 35.1A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 7.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 37.5mOhm @ 12.2A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 32 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1172 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 125W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-263 (D2PAK) Paket / Kılıf TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB