N-Channel 200 V 3.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

FDS2672 - ONSEMI - MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 3.9A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 6V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.9A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2535 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2.5W (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)