N-Channel 200 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

FDS2670 - ONSEMI - MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 3A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2.5W (Ta) Vgs(th) (Maks) @ Id 4.5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 43 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1228 pF @ 100 V