N-Channel 200 V 5A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount TO-252

Ürün Açıklaması

RD3T050CNTL1 - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 200V 5A TO252 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 5A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 760mOhm @ 2.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.25V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 330 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 29W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-252 Paket / Kılıf TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63