N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Ürün Açıklaması

BSP297H6327XTSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf TO-261-4, TO-261AA Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 660mA (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 660mA, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1.8W (Ta) Vgs(th) (Maks) @ Id 1.8V @ 400µA Tedarikçi Paketleme PG-SOT223-4 Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 16.1 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 357 pF @ 25 V