N-Channel 200 V 6.8A (Ta), 39A (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Ürün Açıklaması

IPP339N20NM6AKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 6.8A (Ta), 39A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V, 15V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 31.8mOhm @ 26A, 15V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.5V @ 52µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 24 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1600 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3.8W (Ta), 125W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO220-3-1 Paket / Kılıf TO-220-3