N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Ürün Açıklaması

FQD12N20LTM - ONSEMI - MOSFET N-CH 200V 9A DPAK FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 9A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 21 nC @ 5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1080 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-252AA Paket / Kılıf TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63