N-Channel 2000 V 34A (Tc) 267W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04

Ürün Açıklaması

IMYH200R075M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC DISCRETE FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 2000 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 34A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 18V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 98mOhm @ 13A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.5V @ 7.7mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 64 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +20V, -7V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 267W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO247-4-U04 Paket / Kılıf TO-247-4