N-Channel 200V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P

Ürün Açıklaması

IXTQ50N20P - IXYS - MOSFET N-CH 200V 50A TO3P Paketleme Tube Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 50A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 70nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2720pF @ 25V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 360W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-3P Paket / Kılıf TO-3P-3, SC-65-3