N-Channel 25 V 64A (Ta), 201A (Tc) 4.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SIJA22DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 64A (Ta), 201A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 0.74mOhm @ 20A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 4.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.2V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Maksimum Gain Source Gerilimi +20V, -16V Drain Source Gerilimi (Vdss) 25 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 125 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 6500 pF @ 15 V