N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

SI4386DY-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 11A 8SO FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 11A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 7mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1.47W (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)