N-Channel 30 V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

SI4178DY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 12A 8SO FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 12A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.4A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.8V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 12 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±25V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 405 pF @ 15 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)