N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Ürün Açıklaması

SIS412DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® 1212-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 12A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® 1212-8 Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 12 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 435 pF @ 15 V