N-Channel 30 V 20A (Ta) 3.2W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)

Ürün Açıklaması

CSD17579Q3AT - TEXAS INSTRUMENTS - MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 20A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 1.9V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 15 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 998 pF @ 15 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3.2W (Ta), 29W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-VSONP (3x3.3) Paket / Kılıf 8-PowerVDFN