N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Ürün Açıklaması

SISA14DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 20A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.2V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 29 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi +20V, -16V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1450 pF @ 15 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® 1212-8 Paket / Kılıf PowerPAK® 1212-8